第59章 为了国家半导体发展去培养人才(求追读!)(1 / 6)
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很快就调整好心態。
从隨身的挎包中,掏出纸笔记下江阳所说的问题。
……
接下来。
轮到李智俭。
他选择的问题。
是高电场下的载流子雪崩击穿机制的定量分析。
实话说。
这放在国际学界,都是一个难题。
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首篇硅雪崩二极体专利,都是到了60年,才由贝尔实验室申请。
想在国內研究。
基础的雪崩击穿理论,非常难获取不说。
比较关键的载流子热化效应也尚未完全阐明。
只依靠简化的模型。 ↑↑